三星HBM3E内存通过英伟达认证，加速AI工作负载部署 认证该产品采用12层堆叠设计

2026-06-18 02:45:28分类：热点阅读(8)

通过优化热管理工艺和先进的存通硅通孔技术，单颗容量达36GB，过英工作HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，伟达相比上一代HBM3能效提升约20%。认证该产品采用12层堆叠设计，加速三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的负载认证测试，显著降低延迟。部署业内分析认为，存通此举将打破SK海力士在HBM市场的过英工作垄断格局，三星表示，伟达预计下半年搭载于H200及后续GPU中。认证数据传输速率高达9.6Gbps，加速为全球AI芯片供应链提供更多选择。负载目前三星已开始向英伟达批量供货，部署存通 来源：三星官方新闻 将用于下一代AI加速器的关键内存栈。